År: 2020

Si-P 60/40V 0,6A 0,8W UNI

Si-P 12V 0,2A 0,36W

Si-N 30V 40mA 0,2W >IGHz

Ge-P 50V Ueb=20V 15A 170W

Transistor TO92

N-FET 60V 200mA 300mW TO92

UJT-P Lp=2uA lv=8Ma 0,3W TO18

J-FET 2A 30V 0,3W TO18

Si-N 60V 0,8A 0,5W

Transistor TO3